面对日益增长的细菌耐药性,氧化铜作为一种固有的抗菌材料的潜力正日益受到关注。但是,人们对氧化铜抗菌表面所谓的细菌“接触杀灭”的机理了解甚少,需要进一步研究。特别是,细菌与金属相互作用,介质组成和铜表面化学对接触杀灭的影响尚不完全清楚。
有研究表示,在标准抗菌测试中,铜的氧化铜形成是通过光谱椭圆偏振法原位测量的。同时,用细菌在磷酸盐缓冲盐水(PBS)或Tris-Cl中的细菌评估在这些条件下的接触杀灭。为了比较,定义了氧化亚铜和氧化铜层是热生成的,其特征是掠入射X射线衍射。这些铜氧化物的抗菌性能在上述条件下进行了测试。最后,通过电感耦合等离子体原子吸收光谱法记录了两种缓冲液系统中铜离子的释放,并对裸露的铜样品进行了表面形貌分析。据发现,有的氧化铜湿电镀条件下相当均匀的生长,达到在300分钟4-10纳米,但没有可测量的Cu 2 O的在此期间形成的。与纯铜相比,发现氧化铜(CuO)可以显着抑制接触杀伤。相反,热生成的Cu 2O基本上与纯铜一样有效地消除接触。从不同表面释放的铜离子与它们的抗菌功效大致相关,并且对于纯铜最高,其次是Cu 2 O和CuO。与PBS相比,Tris-Cl引起的铜离子释放快10-50倍。由于在环境条件下主要在铜上形成的Cu 2 O具有与纯铜一样的接触杀灭活性,因此即使在形成氧化物后,抗菌物品仍将保持其抗菌性能。
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